| 研究課題/領域番号 |
16H06087
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| 研究種目 |
若手研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
堀 匡寛 静岡大学, 電子工学研究所, 講師 (50643269)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | シリコンMOSFET / 界面欠陥 / チャージポンピング法 / 電子スピン共鳴法 / EDMR法 / 信頼性評価 / 再結合過程 / 量子情報 |
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| 研究成果の概要 |
ゲートへの高周波電圧印加により、電子正孔再結合を誘導するチャージポンピング法は、MOSトランジスタの界面欠陥評価法として広く用いられている。本研究課題では、「チャージポンピング法」にスピン共鳴の手法を取り入れ、シリコン/シリコン酸化膜界面の欠陥に対して電気的性質と化学的(磁気的)性質を同時に評価できる新手法を確立した。また、チャージポンピング過程を正確に記述する新たな理論体系を構築した。
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| 自由記述の分野 |
ナノエレクトロニクス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究課題では、従来の「チャージポンピング法」と「電子スピン共鳴法」を組み合わせることで、シリコン・トランジスタの界面欠陥を高精度で観測する手法を確立した。これにより、界面欠陥の電子スピンの状態を高精度で観測することが可能となり、トランジスタの性能劣化の原因となる界面欠陥の構造を同定することに成功した。本研究課題で確立した手法は、トランジスタの信頼性評価、ならびに、量子情報処理における電子スピン制御の分野において、新たな分析手法となることが期待される。
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