高品質の溶液絶縁膜を用いた高速・高性能グラフェントランジスタの開発

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 16H06631
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 朴 君昊 東北大学, 電気通信研究所, 教育研究支援者 (90784116)
• 研究期間 (年度): 2016-08-26 – 2017-03-31
• キーワード: グラフェン / 溶液法 / 絶縁膜 / トランジスタ

研究成果の概要

溶液法とマイクロアニーリングを組合せてエピタキシャル成長するグラフェンの上にダメージを与えずに高品質な絶縁膜の形成方法を提案する。この方法はグラフェンにドーピングや歪を与えなく、グラフェン固有特性を保存する。この方法で製作した絶縁膜は 表面粗さが0.237nm、誘電率が7.5である。漏洩電流は自然酸化した絶縁膜より1000倍の低い漏洩電流を示した。この優秀な特性は絶縁膜中にヒドロキシル基とカルボキシ基が効果的に消去されたためだと考えられる。

自由記述の分野

電子工学