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酸化物蛍光薄膜は、酸化物オプトエレクトロニクスを担う機能性材料の一つとして期待される。本研究では、パルスレーザー堆積法を用いてペロブスカイト型遷移金属酸化物蛍光薄膜作製により、高輝度長残光蛍光体を開発することを目的として、研究を行った。 (Ca,Sr)TiO3:Pr薄膜の検討を行った結果、分光顕微システムにより、紫外励起により強い蛍光が得られることが確認された。蛍光薄膜は基板の格子定数とのミスマッチにより、バンド端エネルギーが変化し、発光スペクトルに大きな変化が現れた。これにより蛍光薄膜においてバンド端エネルギーと添加イオンの局在エネルギー位置を面内ひずみによって制御できることが示された。
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