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大きな電気磁気効果を示すマルチフェロイック材料は基礎研究のみならず、省電力デバイスなどの応用の観点からも重要である。しかし現在、室温動作可能なマルチフェロイック材料は非常に限られており、新たな材料開発が求められてた。本研究では室温で強誘電性とフェリ磁性を示すGaFeO3型酸化物薄膜に注目し、室温での大きな電気磁気効果発現と室温マルチフェロイック材料創出を目指した。GaFeO3型薄膜はリーク電流が大きいという課題があったが、申請者はSc置換によりリーク電流の大幅に減少することを見出し、良質な強誘電ヒステリシスを得ることに成功した。また元素置換による室温での幅広い磁気特性制御にも成功した。
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