ホイスラー合金膜を用いた実用スピントロニクス素子の開発

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 16H07436
• 研究種目: 研究活動スタート支援
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 構造・機能材料
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 中谷 友也 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (60782646)
• 研究協力者: 佐々木 泰祐 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究拠点, 主任研究員 (30615993)
• 研究期間 (年度): 2016-08-26 – 2018-03-31
• キーワード: 巨大磁気抵抗 / 磁気センサ / ホイスラー合金

研究成果の概要

磁気センサの感度特性を改善することのできる、高スピン分極ホイスラー合金を開発した。工業プロセスに適合した多結晶薄膜において、高い化学規則度を示す合金組成を選択し、下地材料やスペーサー材料の改善を組み合わせて、従来では20%程度であった巨大磁気抵抗比（磁気センサの出力に対応）を50%まで改善し、ハードディスクの高容量化や高感度磁気センサへの応用が期待される成果を得た。

自由記述の分野

スピントロニクス