| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
成長表面の影響を考慮できる熱力学モデルの開発に成功した．また，このモデルを用いて，InNおよびGaN有機金属気相成長プロセスに関するいくつかの知見・指針を得た．2016年度に得られた成果を取り纏め，1件の学術論文の出版「Advances in modeling semiconductor epitaxy: Contributions of growth orientation and surface reconstruction to InN metalorganic vapor phase epitaxy, A. Kusaba et al., Applied Physics Express, 9 (2016) 125601-1-4」および2件の国際会議発表（口頭），2件の国内会議発表（ポスター）を行った．
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