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2018 年度 実績報告書

硫酸還元菌と鉄材料界面における電子伝達阻害を基軸とした嫌気防食技術の基盤構築

研究課題

研究課題/領域番号 16J07690
研究機関東京大学

研究代表者

DENG XIAO  東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2016-04-22 – 2019-03-31
キーワード硫酸還元菌 / 細胞外電子移動 / 外膜シトクロム / トランスクリプトーム / 遺伝子発現 / 電位依存性 / 電極培養
研究実績の概要

これまでの研究では、地下環境において普遍的に存在する硫酸還元菌が外膜シトクロム酵素を有し、それを介して固体から直接電子を引き抜くことを明らかにした。さらに、硫酸還元菌Desulfovibrio ferrophilus IS5株をモデル菌とした研究では、電極電位が負であるほど電極上の細胞活性が高くなることを見出した。しかし、電子引き抜きが微生物の遺伝子発現に与える影響は不明であった。そこで本研究では、IS5株を-0.4 V、-0.5 V (vs. 標準水素電極)、及び電位印加なしの条件下でそれぞれ5日間培養し、遺伝子発現の変化をトランスクリプトーム解析で分析した。その結果、-0.4 V の電極上で培養した細胞では、ATP合成と硫酸塩還元代謝経路をコードする遺伝子群の発現が電極なし条件と比べて約4倍以上増加したことを明らかにした。これは電子引き抜き過程に伴い細胞がエネルギーを獲得することを強く示唆した。さらに、電極電位が-0.5 Vの場合は、-0.4 Vの場合と比較して、細胞が電極から電子を引き抜く速度が大幅に増加したのと同時に、電子摂取を媒介する外膜シトクロム酵素の発現が10倍以上増加していた。この結果は、外膜シトクロム酵素が細胞の電子引き抜きを媒介するというモデルを強く支持する。さらに、ATP合成と硫酸塩還元経路、及び窒素(アンモニウム)や炭素(酢酸)を同化する経路の遺伝子発現も、-0.4 Vの場合と比較して約4倍増加していた。これらの遺伝子群は細胞の成長に深く関与することから、電極からの電子摂取がIS5株の細胞成長にエネルギーを提供することが示唆された。以上の結果より、電子源が不明であるため未培養のままとなっている微生物を培養する新しい手法として、電気化学的培養法が利用できると期待される。

現在までの達成度 (段落)

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

平成30年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (3件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (1件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Electrode Potential Dependency of Single-Cell Activity Identifies the Energetics of Slow Microbial Electron Uptake Process2018

    • 著者名/発表者名
      Xiao Deng, Akihiro Okamoto
    • 雑誌名

      Frontiers in Microbiology

      巻: 9 ページ: Artical 2744

    • DOI

      10.3389/fmicb.2018.02744

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] Potential Mechanisms of Oligotrophic Life Fueled by Electricity2018

    • 著者名/発表者名
      Xiao Deng
    • 学会等名
      2018 JSME annual meeting & 20th ASME 微生物電気化学研究部会
    • 国際学会 / 招待講演
  • [産業財産権] 微生物培養方法、微生物培養装置、及び、二酸化炭素還元装置2019

    • 発明者名
      岡本章玄、トウ ギョウ
    • 権利者名
      物質材料研究機構
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      301023238

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公開日: 2021-01-27  

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