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2016 年度 実績報告書

有機原料を用いた気相成長法による2次元層状MoS2薄膜の低温成膜に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 16J11377
研究機関明治大学

研究代表者

石原 聖也  明治大学, 理工学研究科, 特別研究員(DC1)

研究期間 (年度) 2016-04-22 – 2019-03-31
キーワード二硫化モリブデン
研究実績の概要

本研究では、二次元層状半導体の一種である二硫化モリブデン(MoS2)のディスプレイ応用を目的として、有機金属気相成長法(MOCVD)による高品質MoS2薄膜低温作製手法の確立について研究を行っている。今年度は、前述の目標達成に必要な高い生産性を有する有機金属(MO)原料の選定、及び温度勾配Hot-wall型CVD装置を用いたモリブデン単膜作製、硫化による反応メカニズム解明を達成目標として掲げた。
本研究では数ある候補化合物の中から、モリブデン原料としてジイソプロピルジアザジエンモリブデントリカルボニル[i-Pr2DADMo(CO)3]、硫黄原料としてジターシャリーブチルジスルフィド[(t-C4H9)2S2]をそれぞれ選定した。これらのMO原料は毒性が低く発火性のない安全な原料である。また既存のMoS2用CVD原料と比較して高い蒸気圧を有しており、窒素バブリングにより低温かつ安定的に原料供給が可能である。これらのMO原料の分解温度について多条件同時成膜Hot-wall型CVD装置を用いた成膜、硫化実験を行い、XPSにより評価した。その結果、両MO原料は300°C以下の低温で適切に分解することが明らかになった。またXPSとDFTによる評価から、i-Pr2DADMo(CO)3は中心モリブデン原子が0価で存在しこれが低温分解と不純物混入抑制に効果的に作用することが明らかになり、(t-C4H9)2S2は水素雰囲気中で分解反応が促進され、更なる低温分解が可能であることが解明された。このように、新規MO原料の分解温度と物性について、実験的・計算的評価手法により明らかにした。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

研究実績の概要で述べた通り、今年度は、高い生産性を有する有機金属(MO)原料の選定、及び温度勾配Hot-wall型CVD装置を用いたモリブデン単膜作製、硫化による反応メカニズム解明を達成目標として掲げた。その結果、モリブデン原料としてジイソプロピルジアザジエンモリブデントリカルボニル[i-Pr2DADMo(CO)3]、硫黄原料としてジターシャリーブチルジスルフィド[(t-C4H9)2S2]をそれぞれ選定し、これら新規MO原料の分解温度と物性について、実験的・計算的評価手法により明らかにした。
本研究では更に、両MO原料を用いたCold-wall CVD成膜実験についても実施した。その結果、250°Cもの低温でウェハスケールSiO2基板上にMoS2原子層極薄膜を作製することに成功した。これは、本研究の目的であるMO原料の使用による低温成膜を実証する結果であり、またMoS2ディスプレイの実現可能性を飛躍的に向上させたと自負する。

今後の研究の推進方策

今後の研究の推進方策としては、MoS2のCold-wall CVD成膜条件最適化を念頭に行う。
MoS2は極薄膜領域での応用が期待される材料であるため、その作製プロセスには原子層レベルでの膜厚制御が求められる。その際に有用なのが、有限体積法(FVM)によるCVD成膜シミュレーションである。FVMは熱流体解析の分野で用いられる計算手法であり、反応室内の原料ガス吹き付け分布や膜厚分布が計算可能である。本研究ではFVMを用いた、大面積膜厚均一性に優れたCold-wall CVD装置の設計、および成膜条件の最適化を行う。

  • 研究成果

    (21件)

すべて 2017 2016

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (15件) (うち国際学会 6件、 招待講演 1件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Investigation on MoS2(1-x)Te2x Mixture Alloy Fabricated by Co-sputtering Deposition2017

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hiroshi sudo, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: - ページ: -

    • DOI

      10.1557/adv.2017.125

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness2017

    • 著者名/発表者名
      Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 10 ページ: 0412021-0412024

    • DOI

      10.7567/APEX.10.041202

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Shotaro Yamamoto, Daisuke Kosemura, Kazuma Takeuchi, Seiya Ishihara, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira, and Atsushi Ogura
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 0513011-0513015

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.051301

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Large Scale Uniformity of Sputtering Deposited Single- and Few-Layer MoS2 Investigated by XPS Multipoint Measurements and Histogram Analysis of Optical Contrast2016

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 雑誌名

      ECS Journal of Solid State Science and Technology

      巻: 5 ページ: Q3012-Q3015

    • DOI

      10.1149/2.0031611jss

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Reaction Conditions on MoS2 Thin Film Formation Synthesized by Chemical Vapor Deposition using Organic Precursor2016

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hiroshi sudo, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 雑誌名

      MRS Advances

      巻: - ページ: -

    • DOI

      10.1557/adv.2016.666

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] MOCVD of MoS2 using Novel Molybdenum Precursor i-Pr2DADMo(CO)32017

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara
    • 学会等名
      International Workshop on TMDC Materials and Devices beside Platanus
    • 発表場所
      Suzukakedai Campus, Tokyo Institute of Technology
    • 年月日
      2017-03-22 – 2017-03-22
    • 国際学会
  • [学会発表] 新規モリブデン原料i-Pr2DADMo(CO)3を用いたMoS2のMOCVD2017

    • 著者名/発表者名
      石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、町田 英明、大下 祥雄、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] スパッタ堆積MoS2薄膜の表面粗さスケーリング解析による配向性評価2017

    • 著者名/発表者名
      石原 聖也、大野 文太、日比野 祐介、澤本 直美、大橋 匠、松浦 賢太郎、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 同時スパッタ法とin-situ熱処理で作製したMoS2(1-x)Te2xの評価2017

    • 著者名/発表者名
      日比野 祐介、石原 聖也、澤本 直美、大橋 匠、松浦 賢太朗、町田 英明、須藤 弘、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 同時スパッタ法と(t-C4H9)2S2による硫化で作製したMo1-xWxS2の評価2017

    • 著者名/発表者名
      日比野 祐介、石原 聖也、澤本 直美、大橋 匠、松浦 賢太朗、町田 英明、須藤 弘、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力のパターンサイズ依存性評価2017

    • 著者名/発表者名
      村上 達海、武内 一真、横川 凌、須田 耕平、石原 聖也、小椋 厚志
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜のキャリア密度低減2016

    • 著者名/発表者名
      松浦 賢太朗、大橋 匠、宗田 伊理也、石原 聖也、角嶋 邦之、筒井 一生、小椋 厚志、若林 整
    • 学会等名
      物性研究所短期研究会「原子層上の活性サイトで発現する局所機能物性」
    • 発表場所
      東京大学物性研究所
    • 年月日
      2016-12-20 – 2016-12-21
  • [学会発表] Sulfurization in Sulfur Vapor for Sputtered-MoS2 Film2016

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, and Hitoshi Wakabayashi
    • 学会等名
      The 47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
    • 発表場所
      The Catamaran Hotel
    • 年月日
      2016-12-07 – 2016-12-10
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of Reaction Conditions on MoS2 Thin Film Formation Synthesized by Chemical Vapor Deposition using Organic Precursor2016

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hiroshi sudo, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 学会等名
      2016 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Hynes Convention Center
    • 年月日
      2016-11-27 – 2016-12-02
    • 国際学会
  • [学会発表] Investigation on MoS2(1-x)Te2x Mixture Alloy Fabricated by Co-sputtering Deposition2016

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hiroshi sudo, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 学会等名
      2016 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 発表場所
      Hynes Convention Center
    • 年月日
      2016-11-27 – 2016-12-02
    • 国際学会
  • [学会発表] Centimeter-scale High-performance Few-layer MoS2 Fabricated by RF Magnetron Sputtering and Subsequent Post-deposition Annealing2016

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 学会等名
      2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba International Congress Center
    • 年月日
      2016-09-26 – 2016-09-29
    • 国際学会
  • [学会発表] スパッタMoS2膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニール効果2016

    • 著者名/発表者名
      石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、大橋 匠、松浦 賢太郎、町田 英明、石川 真人、須藤 弘、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
    • 招待講演
  • [学会発表] (t-C4H9)2S2を用いたMoS2薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存2016

    • 著者名/発表者名
      石原 聖也、日比野 祐介、澤本 直美、大橋 匠、松浦 賢太郎、町田 英明、石川 真人、須藤 弘、若林 整、小椋 厚志
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力評価2016

    • 著者名/発表者名
      村上 達海、武内 一真、横川 凌、須田 耕平、石原 聖也、小椋 厚志
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Low-temperature solid-phase crystallization of sputtering deposited quasi-layered MoS2 thin film2016

    • 著者名/発表者名
      Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hitoshi Wakabayashi, and Atsushi Ogura
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy
    • 発表場所
      Nagoya Congress Center
    • 年月日
      2016-08-07 – 2016-08-12
    • 国際学会
  • [図書] カルコゲナイド系層状物質の最新研究 第2編 第4章 合成・構造制御「カルコゲナイド系層状物質薄膜のスパッタ成長」2016

    • 著者名/発表者名
      小椋 厚志、石原 聖也、若林 整 (一部共著)
    • 総ページ数
      286
    • 出版者
      シーエムシー出版

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公開日: 2018-01-16  

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