| 研究課題/領域番号 |
16K04945
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 結晶成長 / 窒化物半導体 / エピタキシャル成長 / 窒化ガリウム / 半導体 |
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| 研究成果の概要 |
新しい原料分子である三塩化ガリウム(GaCl3)を用いたGaN高温・高速成長に関する研究を行い、これまで報告例のない1300℃を超える成長温度でのGaN成長の実現および実用に耐える結晶品質および不純物濃度の結晶作製を達成した。現在GaN基板の生産に用いられているHVPE法による成長速度に対し、本研究では2.5～3倍の成長速度を結晶品質の劣化無しに達成したことから、将来のGaNバルク結晶生産の新手法としての可能性が見いだされた。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果は、従来法に比べて3倍程度の成長速度を得つつ、結晶品質の優れたGaN単結晶を提供する手法を確立した点において、将来のGaN基板作製コストの低減のほか、その基板上に作製されるGaN系電力変換素子やレーザー等の性能向上にも貢献するものと考える。また、原料生成部の詳細な解析を行い見いだされた知見は、学術的に大きな指針を与え、他の結晶成長に対してもユニバーサルに適用可能なものとなったことから、学術的にも大きな意義をもっていると考える。
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