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既存のシリコン導波路型光スイッチでは、内部に干渉計や共振器の構造を作り込む必要があり、デバイスサイズは小さくとも数十マイクロメートルとなる。これは、外的刺激に対するシリコンの屈折率変化が微小であるためである。この問題を解決するためには、屈折率変化が巨大な材料を持ち込む必要がある。しかしながら、半導体以外の材料をシリコン導波路と組み合わせようとする研究事例は多くない。本研究では、二酸化バナジウムをシリコン導波路のクラッドに利用することを試みた。これにより光スイッチの高密度化を達成しており、本成果は光通信技術の発展に貢献するものと考える。
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