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紫外線は半導体(シリコン)の極表面の電場が弱い領域で吸収、キャリアを生成するため、電場により増幅領域まで運べず、その検出は、キャリアの拡散によるものだとされているが、実験的には確かめられていない。
本研究では、アルゴンが発生する紫外光に対する応答の時間構造を調べる事により、拡散による伝播か電場による運動かを区別し、紫外線応答のメカニズムを解明することを目的とした。
当初は液体アルゴンを用いることを考えていたが、取り扱いが難しいので、気体アルゴンを使うことに予定変更し、測定を試みたが、実験的に難しく、有意義なデータを取得することができなかった。手法としては間違っていないので、継続したい。
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