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本研究はコヒーレントＬОフォノンと半導体中の光キャリアとの相互作用を利用し、新たな電子物性測定技術の開拓を行うことを目的としている。まず、CdSe量子ドットを用い、コヒーレントフォノン信号の光生成キャリア数依存性を精密に調べた。キャリア数の増加とともにコヒーレントフォノンの生成が妨げられるのが観測された。
また、本研究では、GaAsやInPに対して二光子励起キャリアによるフォノン・プラズモン結合モードの生成をめざしている。そのためには、近赤外領域の極短パルス光源が必要である。そこで、非線形光学結晶であるBIBOを用い、パラメトリック増幅器の作製に成功した。
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