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（１）相対論的マルチバンドk.p理論に基づき，g因子およびスピン分裂因子Mの一般公式を導いた．得られた公式をPbTeおよびSnTeに適用し，PbTe側ではM<1, SnTe側ではM>1となることを示した．このことから，スピン分裂変数を測定すれば，バンド反転（トポロジカル転移）がバルク測定で検証できることを提案した．また，Mを測定すれば，系のトポロジーが決定できることも示した．
（２）スピン軌道結合が強い系に共通するハミルトニアンにおいて，その表面状態の厳密解を得た．これを元に，表面状態におけるトポロジーの違いが，薄膜では判別できないことを示した．
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