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2016 年度 実施状況報告書

層状超伝導体BiS2系における局所構造と量子臨界的挙動及び超伝導特性の相関

研究課題

研究課題/領域番号 16K05454
研究機関首都大学東京

研究代表者

松田 達磨  首都大学東京, 理工学研究科, 准教授 (30370472)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
キーワードBiS2系層状化合物 / 単結晶 / 超伝導 / 構造相転移 / 超格子反射
研究実績の概要

層状超伝導体BiS2系化合物 LnO(1-x)FxBiS2 (R: 希土類及びアクチノイド)について、まずは希土類化合物に集中して、単結晶育成を行い、それらを用いて基礎物性測定及び放射光施設を用いた実験を行った結果、以下のような成果を得た。
(1) LnO(1-x)FxBiS2について、Ln=La, Ce, Pr, Nd およびEuの高純度単結晶育成に成功した。またLa系については、酸素Oのフッ素置換量xについて、0から0.5 までを0.1きざみで育成することに成功した。その他Ce, Pr, Nd については、x=0 および 0.5、Euについてはx=0 について世界で初めて単結晶育成に成功した。
(2)La系について放射光施設を用いた精密な構造解析を実施した結果、x=0について、室温では当初報告されていた正方晶よりも低対称の結晶構造を持つことを明らかにし、さらに室温以上において正方晶系への構造相転移を示す可能性を見いたした。さらにバルクの超伝導転移が観測されているx=0.5 では、室温以下において、超格子反射の強度が発達することを世界で初めて発見した。これは低温における超伝導発現メカニズムに関連する重要な発見であると考えられる。
(3)EuFBiS2系について、単結晶を用いた物性測定より、多結晶にて報告されているようなEuの価数不安定性が見られないことが明らかになった。Euは完全な2価をとっていると考えられる磁気的振る舞いと、電気抵抗の振る舞いを観測した。また、粉末X線回折実験の温度依存性からも当初予想されていた、室温以下の構造相転移などはみられないことを確認した。一方、Euの大きな局在モーメントがあるものの低温2Kまで磁気転移しないなど、極めて特異な物性を示すことが本研究から明らかになってきた。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

一般に本研究対象の単結晶育成は、難しいことが知られており、本研究の計画の進捗はこの単結晶育成が順調にすすむか否かに大きく依存する部分があったが、初年度の研究において、この単結晶育成の条件の最適化に成功したこと、またさらに複数の結晶育成方法で成功したことにより、それらを用いた物性測定へと順調に実験が進展できている。また、共同研究者らの協力により、放射光施設を用いた精密な構造解析実験にも十分な実験時間を得ることができ、順調に成果をあげられている。
物性測定については、昨年度から導入されている0.4 Kまでの物性測定装置を用いた測定により、短時間で実験結果を得られるようになってきている。これにより本系の最も注目すべき極低温の磁性異常などがつぎつぎと明らかになってきている。

今後の研究の推進方策

(1) La系のLnO(1-x)FxBiS2において、興味深い構造相転移や超格子反射等が観測されてきているが、これらの異常がLn系に共通の異常であるか否かを明らかにする実験を行い、BiS2系の超伝導発現との関係も含め、普遍的知見が得られるように、バンド計算などの理論的サポートも得ながら、結晶構造という視点から総合的にこの系の特徴をまとられるように研究を展開していく。またこの系は、加圧によって劇的に超伝導転移温度が変化することから、加圧下における構造の変化についても重点的に実験をすすめる。
(2) EuFBiS2系においては、本研究の単結晶を用いた物性研究から、多結晶とは大きくことなる振る舞いを示すことが明らかになってきている。我々は多結晶との本質的違いを比較研究から明らかにした上で、本Eu系におけるEuの価数と超伝導発現との関係を単結晶を用いて明らかにしていく。そのためには、圧力を用いた物性測定が必要であり、共同研究として圧力技術の専門家の協力及び共同利用施設を利用した実験へと研究を展開する。
(3)本系の極低温における特異な量子臨界性を研究する上で、よりLnの持つf電子が遍歴性の強い系についても研究を行う必要があると考える。そこで、ウランなどを用いた研究を行うため、東北大学金属材料研究所の施設を利用し、アクチノイド系の研究へと展開を検討する。

次年度使用額が生じた理由

当初計画において、本研究対象である物質について大量に単結晶育成を行う必要性があるため、複数の電気炉(マッフル炉)を必要とすると考え備品購入として予算を計上していたが、初年度初期の研究において、結晶育成条件の最適化に成功したことと、このマッフル炉を使用した方法以外にも、既存の高圧合成炉や勾配炉を用いるなど、多様な方法で結晶育成を試みることにより、研究に必要な試料が得られることが分かったことで、新規電気炉の購入の必要性が低下した。そのため、おおよそ電気炉購入として計上していた予算分の差額が生じることとなった。

次年度使用額の使用計画

当初計画で予定していた希土類系のBiS2化合物の研究が順調に進んでいることから、高圧合成炉を用いた新規相探索、及び東北大学金属材料研究所の共同利用施設を利用したアクチノイド系化合物の探索へと研究を進展させる予定である。これらは、結晶育成過程において、多数の消耗品が必要となること、またアクチノイド系の研究では、物質探索として時間を要するため共同利用として認められる予算を超えて旅費が必要となることが予想されることから、前年度繰越した予算をそれらに充当していく予定である。

  • 研究成果

    (24件)

すべて 2017 2016 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (8件) (うち国際共著 3件、 査読あり 8件) 学会発表 (14件) (うち招待講演 1件)

  • [国際共同研究] Universita di Roma “La Sapienza”(Italy)

    • 国名
      イタリア
    • 外国機関名
      Universita di Roma “La Sapienza”
  • [国際共同研究] Observatoire des Sciences de l’Univers(France)

    • 国名
      フランス
    • 外国機関名
      Observatoire des Sciences de l’Univers
  • [雑誌論文] Electronic structure of self-doped layered Eu3F4Bi2S4 material revealed by x-ray absorption spectroscopy and photoelectron spectroscopy2017

    • 著者名/発表者名
      E. Paris, T. Sugimoto, T. Wakita, A. Barinov, K. Terashima, V. Kandybam O. Proux, J. Kajitani, R. Higashinaka , T. D. Matsuda, Y. Aoki, T. Yokoya, T. Mizokawa, and N.L. Saini
    • 雑誌名

      Phys Rev. B

      巻: 95 ページ: 035152-1_5

    • DOI

      https://doi.org/10.1103/PhysRevB.95.035152

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Localized and mixed valence state of Ce 4f in superconducting and ferromagnetic CeO1-xFxBiS2 revealed by x-ray absorption and photoemission spectroscopy2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sugimoto, D. Ootsuki, E. Paris, A. Iadecola, M. Salome, E. F. Schwier, H. Iwasawa, K. Shimada, T. Asano, R. Higashinaka, T. D. Matsuda, Y. Aoki, N. L. Saini, and T. Mizokawa
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 94 ページ: 081106-1_5

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.94.081106

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Specific Heat and Electrical Transport Properties of Sn0.8Ag0.2Te Superconductor2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshikazu Mizuguchi, Akira Yamada, Ryuji Higashinaka, Tatsuma D. Matsuda, Yuji Aoki, Osuke Miura, Masanori Nagao
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 85 ページ: 103701-1_4

    • DOI

      http://doi.org/10.7566/JPSJ.85.103701

    • 査読あり
  • [雑誌論文] First report on the Electronic, Magnetic and thermal Properties of Filled Skutterudite YbOs4Sb122016

    • 著者名/発表者名
      Hiromu Kunitoshi, Tatsuma D. Matsuda, Ryo Midorikawa, Ryuuji Higashinaka, Keitaro Kuwahara, Yuji Aoki, Hideyuki Sato
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 85 ページ: 114708-1_6

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.7566/JPSJ.85.114708

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Bulk Superconductivity Induced by In-Plane Chemical Pressure Effect in Eu0.5La0.5FBiS2-xSex2016

    • 著者名/発表者名
      Gen Jinno, Rajveer Jha, Akira Yamada, Ryuji Higashinaka, Tatsuma D. Matsuda, Yuji Aoki, Masanori Nagao, Osuke Miura, Yoshikazu Mizugchi
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 85 ページ: 124708-1_6

    • DOI

      http://doi.org/10.7566/JPSJ.85.124708

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomic displacements and lattice distortion in the magnetic-field-induced charge ordered state of SmRu4P122016

    • 著者名/発表者名
      Takeshi Matsumura, Shinji Michimura, Toshiya Inami, Kengo Fushiya, Tatsuma D. Matsuda, Ryuji Higashinaka, Yuji Aoki, and Hitoshi Sugawara
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B

      巻: 94 ページ: 184425-1_10

    • DOI

      https://doi.org/10.1103/PhysRevB.94.184425

    • 査読あり
  • [雑誌論文] No Detectable Change in In-Plane 29Si Knight Shift in the Superconducting state of URu2Si22016

    • 著者名/発表者名
      T. Hattori, H. Sakai, Y. Tokunaga, S. Kambe, T.D. Matsuda, and Y. Haga
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 85 ページ: 073711-1_4

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.7566/JPSJ.85.073711

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fermi Surface of ThRu2Si2 as a Reference to the Strongly Correlated Isostructural Metals Investigated by  Quantum Oscillations2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Haga, N. Tateiwa, H. Aoki, N. Kimura, T. Yamamura, E. Yamamoto, T. D. Matsuda, Z. Fisk, and H. Yamagami
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn.

      巻: 85 ページ: 104709-1_7

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.7566/JPSJ.85.104709

    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] LaO1-xFxBiS2における長周期格子変調2017

    • 著者名/発表者名
      梶谷丈, 三田昌明, 東中隆二, 青木勇二, 松田達磨, 佐賀山基, 佐賀山遼子, 熊井玲児, 村上洋
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2017-03-17 – 2017-03-20
  • [学会発表] 新規重希土類 充填型スクッテルダイトの低温物性2017

    • 著者名/発表者名
      松田達磨, 一ノ瀬すみれ, 岸本美晴, 山田瑛, 國利洸貴, 東中隆二, 佐藤英行, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2017-03-17 – 2017-03-20
  • [学会発表] Nd(O1-xFx)BiS2のμSR2017

    • 著者名/発表者名
      髭本亘, 伊藤孝, 大嶋浩平, 三田昌明, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2017-03-17 – 2017-03-20
  • [学会発表] Pressure-induced superconductivity in EuFBiS2single crystal2017

    • 著者名/発表者名
      Yuan Yahua, 松林和幸, 梶谷丈, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2017-03-17 – 2017-03-20
  • [学会発表] BiS2系層状超伝導体の超伝導特性に対する一軸圧力効果2017

    • 著者名/発表者名
      大西翔太, 山田瑛, 三田昌明, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      2017-03-17 – 2017-03-20
  • [学会発表] BiS2系超伝導体における構造および磁気異常研究の現状2016

    • 著者名/発表者名
      松田達磨
    • 学会等名
      TMUシンポジウム「U系及びBiS2系の物理の発展」
    • 発表場所
      首都大学東京南大沢キャンパス
    • 年月日
      2016-11-28
    • 招待講演
  • [学会発表] LaO1-xFxBiS2における格子変調のF濃度依存性2016

    • 著者名/発表者名
      梶谷丈, 三田昌明,松田達磨, 青木勇二, 佐賀山基, 佐賀山遼子
    • 学会等名
      TMUシンポジウム「U系及びBiS2系の物理の発展」
    • 発表場所
      首都大学東京南大沢キャンパス
    • 年月日
      2016-11-28
  • [学会発表] Pr(O,F)BiS2単結晶の電子輸送特性2016

    • 著者名/発表者名
      山本直季, 三田昌明, 山田瑛, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 単結晶LaO1-xFxBiS2の電子輸送効果2016

    • 著者名/発表者名
      梶谷丈, 三田昌明, 東中隆二, 青木勇二, 松田達磨
    • 学会等名
      日本物理学会第2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] YbOs4Sb12の高圧合成法による単結晶育成と低温物性2016

    • 著者名/発表者名
      松田達磨, 国利洸貴, 翠川諒, 一ノ瀬すみれ, 岸本美晴, 大西翔太, 東中隆二, 桑原慶太郎, 青木勇二, 佐藤英行
    • 学会等名
      日本物理学会第2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 異常な低エネルギー励起を示すNdO1-xFxBiS2の電気輸送測定2016

    • 著者名/発表者名
      東中隆二, 三田昌明, 浅野卓也, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] La(OF)BiS2のフッ素添加量と格子歪の関係2016

    • 著者名/発表者名
      佐賀山遼子, 佐賀山基, 熊井玲児, 村上洋一, 浅野卓也, 梶谷丈, 東中隆二, 松田達磨, 青木勇二
    • 学会等名
      日本物理学会第2016年秋季大会
    • 発表場所
      金沢大学
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Heavy fermion like anomalous behavior in NdO1-xFxBiS2 superconductor2016

    • 著者名/発表者名
      Tatsuma D. Matsuda, Hiroaki Mita, Ryuji Higashinaka, Yuji Aoki, Youhei Kono, Shota Nakamura, Shunichiro Kittaka, Toshiro Sakakibara
    • 学会等名
      J-Physics 平成28年度領域全体会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2016-05-26 – 2016-05-28
  • [学会発表] Single Crystal Grouwt and Physical Properties of EuFBiS22016

    • 著者名/発表者名
      Joe Kajitani, Hideaki Endo, Hiroshi Takatsu, Takuya Asano, Masaaki Mita, Ryuji Higashinaka, Yuji Aoki, Tatsuma D. Matsuda
    • 学会等名
      J-Physics 平成28年度領域全体会議
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2016-05-26 – 2016-05-28

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公開日: 2018-01-16  

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