| 研究成果の概要 |
N,C,S-三座配位子とリン配位子をもつチオラート鉄(III)カルボニル錯体を合成し、可視～近赤外光の照射による一酸化炭素放出挙動を明らかにした。また、適度な置換活性度を有するチオエーテル側鎖を導入し、S,N,C,S-四座配位子をもつ鉄錯体を合成することで、チオエーテル側鎖とCOの可逆な置換反応を見出した。ジホスフィン配位子で架橋した二核鉄チオラート錯体では、水素分子の活性化によるヒドリド錯体の生成を確認した。また、キノリル基をもつチオフェン誘導体を用いて、メタラサイクルで安定化した鉄カルボニル錯体を合成した。
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