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2016 年度 実施状況報告書

雰囲気制御分子線エピタキシャル結晶成長による規則的マイクロテクスチャの自律的創成

研究課題

研究課題/領域番号 16K06031
研究機関東京工業高等専門学校

研究代表者

角田 陽  東京工業高等専門学校, 機械工学科, 准教授 (60224359)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2019-03-31
キーワード微細加工 / エピタキシャル成長 / テクスチャ
研究実績の概要

本研究におけるマイクロテクスチャとは,代表寸法がマイクロメートルオーダ以下の単位規則形状が無秩序に,または秩序よく規則的に整列配置されている面である.同面を持つ機械構造体や機械要素部品では,平滑面にはない,構造発色のような機能や摩擦減少等の省エネルギ化への寄与など,地球環境問題対策をはじめ,さまざまな分野への直接的・間接的な波及効果が期待できる.しかし,その創成技術の確立は十分とはいえない.そこで本研究では,規則的配列マイクロテクスチャ創成技術のひとつとして,雰囲気制御環境下での分子線エピタキシャル結晶成長における分子の自律的な整列現象により,従来にない多様な単位規則形状が整列したマイクロテクスチャの創成技術の確立をめざす.実際の試作実験や解析により,その創成技術の確立に資する知見を得ることを大目的としている.
なかでも,本研究では,雰囲気制御環境下での分子線エピタキシャル結晶成長における現象を解析し,その場合のマイクロテクスチャ創成技術として確立に資する知見を得ることをめざしている.雰囲気制御環境下における平滑基板上でのSiのエピタキシャル結晶成長実験により,単結晶Si基板での成長条件に対する,マイクロテクスチャの基本となる単位規則形状の創成との関係を実験的に検討した.雰囲気制御環境下における,マイクロテクスチャ面創成の明確化のための各種実験を実施し,一定の成果を得ることができている.

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

主実験装置および測定評価装置が不調であったことならびに諸事情により本研究に割く時間が想定どおりに行かなかったため.

今後の研究の推進方策

実験装置は保守を実施済みで,また,測定評価装置についても本年度早期に点検を行うことで,主たる実験に取り組んでいく.

次年度使用額が生じた理由

当該研究における主実験装置および測定評価装置の不調から実験の進行が滞ったため,次年度使用額が生じた.

次年度使用額の使用計画

主実験装置および測定評価装置の保守を実施し(前者は実施済),実験の進行を計画よりもややピッチを上げて実施する予定である.

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2017

すべて 学会発表 (1件)

  • [学会発表] 分子線エピタキシャル結晶成長を用いた表面創成 - ヘリコンスパッタリング分子線源を 用いたSi-Si ホモエピタキシャル成長2017

    • 著者名/発表者名
      川上俊介,角田陽
    • 学会等名
      精密工学会学学生会員卒業研究発表講演会
    • 発表場所
      慶應義塾大学(矢上校舎)(横浜市港北区)
    • 年月日
      2017-03-13

URL: 

公開日: 2018-01-16  

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