|
本研究では，雰囲気制御分子線エピタキシャル結晶成長における現象を応用し，マイクロテクスチャ創成技術として確立するための第一段階として，技術確立に資する知見を得た．
具体的には，雰囲気制御環境下における，創成可能な単位規則形状およびマイクロテクスチャを明確化した．すなわち，雰囲気制御環境下における，基板面方位，成長条件（基板温度，成長速度）と創成規則的単位形状の関係を実験的に明らかにした．また，雰囲気環境と，あらかじめ付与する幾何形状を加工条件として，本手法によって創成可能なテクスチャの形状を実験的に明確化をはかり，今後の同テクスチャ創成技術確立に有効な情報を得ることができたといえる．
|
