研究課題
基盤研究(C)
ダイヤモンド半導体結晶はその数々の優れた物性から、次世代の高機能半導体デバイス用材料として期待されている。しかし、ダイヤモンド半導体デバイス実現のためにはダイヤモンド結晶に含まれる深い結晶欠陥の起源を解明しなければならない。そこで本研究ではダイヤモンド半導体結晶の非輻射欠陥評価のための高感度過渡光容量評価システムを開発し、ホウ素ドープダイヤモンド結晶評価を行い、その非輻射欠陥の生成メカニズムを解明した。
半導体物性
次世代の半導体材料として期待されるダイヤモンドを用いたデバイスの実現を妨げる最も大きな障害は、結晶の不完全性にある。本研究はこのようなダイヤモンド半導体結晶のこれまで評価されることのなかった深い非輻射欠陥の評価系を開発し、欠陥生成メカニズムを解明し、その生成制御を図ることで半導体デバイスグレードの高品質ダイヤモンド半導体結晶の合成を達成ことを目的として遂行した。本研究で得られた研究成果は今後の環境重視時代における低炭素、省エネルギー社会の実現に大きく寄与するものと考えられる。
