2018 年度研究成果報告書

光磁気変換を用いた通信用磁性光メモリ

研究課題

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研究課題/領域番号	16K06295
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東京工業大学
研究代表者	庄司雄哉東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (00447541)
研究協力者	水本哲弥
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31
キーワード	光メモリ
研究成果の概要	次世代光ネットワーク技術のキーデバイスである通信用光メモリについて、光磁気記録と磁気光学効果を用いた新規な磁性光メモリの実現を目的とし研究を行った。磁性光メモリ実現に向けて、薄膜磁石の残留磁化と磁気光学効果を用いた再生動作の検討、及び、キュリー点記録をベースとする光導波路を用いた光磁気変換方式による記録動作の検討を実施した。記録動作では、リング共振器を用いた高効率な光熱変換方式を開発し、光入力で300℃以上の温度上昇を確認した。再生動作では、FeCoB薄膜磁石を装荷したMZI型光メモリ回路を作製し、パルス電流により書き込まれた磁化情報を光透過率の変化として読み出す動作を実証した。
自由記述の分野	光デバイス
研究成果の学術的意義や社会的意義	情報トラフィックの増大に伴い、光ネットワークの大容量化と低消費電力化を両立するための技術開発が必要とされている。従来の電気ルータでは、光信号を電気信号に変換してパケット処理をした後、再度光信号に変換して伝送するため、電子回路の処理速度限界と消費電力増が大きな問題となっている。次世代の光ネットワーク技術として光パケットスイッチングが研究されており、光信号を光のまま伝送処理を行うことで超高速かつ低消費電力の光信号伝送が実現できる。光信号処理ネットワークに向けて、通信用光メモリの実現が求められている。