研究課題
基盤研究(C)
集積化した4素子のショットキーバリアダイオードからなる新たな構成のテラヘルツ波検出器と、ストークスパラメーターをベースとする偏波解析手法を提案し、素子構成を最適化することにより、可動部分の無い偏波計測用テラヘルツ波検出器モジュールを開発した。そして、作製したモジュールをテラヘルツ波エリプソメトリー測定に適用し、検出器を回転させずに生体関連材料の複素比誘電率が測定できることを実証した。
電子デバイス・電子機器
本研究で開発したテラヘルツ波検出器は、従来部品では実現が困難であった実時間での偏波計測を可能とし、ダイナミックな現象の解明にも寄与できることから、様々な計測技術の進展に重要な役割を果たすものと考えられる。また、このような可動部が無く小型・軽量で低コスト化が可能なテラヘルツ波計測機器の開発がさらに進めば、今まで利用が困難であった対象物への適用も可能となり、テラヘルツ波の利用範囲拡大にも貢献できるものと考えられる。
