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深いアクセプタを半絶縁性GaNバッファ層内に有するフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTsの電流コラプスと耐圧特性について検討した。深いアクセプタ濃度が高い程電流コラプスが低減され，耐圧も高くなることが示された。また，高誘電率パシベーション膜を有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧特性のゲート・ドレイン間距離依存性を解析した。その結果，ゲート・ドレイン間距離が長いほど耐圧は高くなり，その間の電界がほぼ一様に近い（～ 3 MV/cm）ことが示された。さらに，SiN膜と高誘電率膜から成る２重パシベーション膜を有する構造を解析し，高誘電率膜の効果で耐圧が向上することが示された。
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