| 研究課題/領域番号 |
16K06316
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
藤代 博記 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 教授 (60339132)
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| 研究分担者 |
町田 龍人 東京理科大学, 基礎工学部電子応用工学科, 助教 (50806560)
藤川 紗千恵 東京電機大学, 工学部, 助教 (90550327)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | テラヘルツ領域 / 高電子移動度トランジスタ / HEMT / InGaSb / 電子有効質量 / 格子歪 / 電子移動度 / 遮断周波数 |
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| 研究成果の概要 |
電子有効質量me*の最適設計により、界面ラフネス散乱の影響を抑えながら高い電子移動度μeと高い電子濃度Nsを同時に実現するGaInSb量子井戸QWチャネルを作製し、HEMTを試作した。
歪ステップバッファの導入により高いμeを維持しながらNsを高めることに成功し、Ga0.22In0.78Sb QWにおいてμe = 15,500 cm2/Vs、Ns = 2.05×1012 cm-2の特性を得た。Ga0.22In0.78Sb HEMTを作製し、fT = 214 GHzを得た（Lg = 40 nm）。これはGaInSbを用いたトランジスタで報告されている最も高い値であった。
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| 自由記述の分野 |
ナノ電子・光デバイス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
テラヘルツ領域は未踏センシング、次世代通信、極限コンピューティングなどの帯域として工業・情報通信・医療・バイオ・農業・セキュリティなど様々な応用が見込まれている。本研究はテラヘルツ領域での共通の基盤技術の一つとして、テラヘルツ領域で動作するトランジスタの開発を目的とした。本研究で考案した歪ステップバッファは、Sb系QWの高いμeを維持しながらN sを増加できる画期的な方法であり、試作したHEMTで214 GHzを得た。この成果は様々なテラヘルツ応用の発展に貢献するものと考えられる。
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