| 研究課題/領域番号 |
16K06324
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(C)
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
|
|---|
| 研究機関 | 大阪工業大学 |
|---|
研究代表者 |
小寺 正敏 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40170279)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
|
| キーワード | 電子ビームリソグラフィ / 静電気力顕微鏡 / フォギング電子 / 電子散乱のシミュレーション / レジスト無帯電露光条件 / マルチスケール解析 |
|---|
| 研究成果の概要 |
走査電子顕微鏡を用い (1)試料台上に配置された電極に捕集される電流分布の測定、(2)照射を受けた絶縁物表面の電位分布の静電気力顕微鏡を用いた測定、 (3)同条件で物質内外の電子散乱のシミュレーションと電荷分布のポアソン方程式の連立によって試料内外の電位分布をマルチスケールで解析するという3種類のアプローチで研究を進めた。
本研究では、電子ビームリソグラフィにおいて加速電圧30kV、ビーム電流1.2nAの大電流電子ビームを60秒間試料に露光しても試料がミクロからマクロに至るスケールで帯電しない条件を見出した。その時に試料内部で起こっている現象について定量的・論理的に説明できる結果を得た。
|
| 自由記述の分野 |
電子ビームリソグラフィ
|
| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
今後の最先端の半導体集積回路製造における超微細加工を実現するためには電子ビームリソグラフィは不可欠の技術である。ところがリソグラフィーで用いられる最先端レジストの導電率は低く、電子ビーム照射によって帯電する。帯電過程を調査する中で、電子ビームが照射領域の試料を帯電させるだけでなく、試料と試料に対向する対物レンズ電極との間で多重散乱して広がった電子(フォギング電子)による帯電の影響があることが分かった。本研究では実験とシミュレーションによる理論解析の両面から、電子ビームリソグラフィにおけるレジスト膜の無帯電露光条件を探索することを目的とし、上記の解析に基づき当該条件を見出すことができた。
|
