| 研究課題/領域番号 |
16K06326
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
佐々 誠彦 大阪工業大学, 工学部, 教授 (50278561)
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| 研究分担者 |
小山 政俊 大阪工業大学, 工学部, 講師 (30758636)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | テラヘルツパルス光源 / インジウムヒ素 / ヘテロ構造 |
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| 研究成果の概要 |
テラヘルツパルス電磁波を利用したテラヘルツ時間領域分光法と呼ばれる測定技術は，ガン診断などの医療応用や美術品の非破壊測定などへの応用が期待されています．そのための光源として一般に利用される光伝導アンテナという素子に比べ，安価で取り扱いが容易なテラヘルツパルス光源を開発すると，システムが安価になり，この技術をより広い範囲に応用する可能性が拓けます．
このため，本研究では，インジウムヒ素（InAs）の薄膜を用いて，高強度なテラヘルツパルス光源の開発を行い，GaSb/InAsヘテロ構造を利用することにより，従来の 1.4 倍の強度を得ることに成功しました．
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| 自由記述の分野 |
化合物半導体デバイス
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
テラヘルツパルス電磁波を利用したテラヘルツ時間領域分光法と呼ばれる測定技術は，ガン診断などの医療応用や美術品の非破壊測定などへの応用が期待されています．そのための光源として一般に利用される光伝導アンテナという素子に比べ，安価で取り扱いが容易なテラヘルツパルス光源を開発すると，システムが安価になり，この技術をより広い範囲に応用する可能性が拓けます．
この研究では，光源に半導体薄膜を利用することで従来より放射強度の高い素子が得られることが示され，さらに複数の半導体を組み合わせることで，その強度が増大できることを示しました．
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