| 研究課題/領域番号 |
16K06741
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
日暮 栄治 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (60372405)
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2019-03-31
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| キーワード | 水素ラジカル / インジウム / 表面酸化膜 / 還元処理 / 再酸化 / はんだペースト / バンプ形成 / 銅 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、インジウムの表面酸化膜除去プロセスを低温（200℃以下）で実現することを目的に、活性な水素ラジカルによる還元作用および還元後の再酸化過程を調べた。濡れ広がり試験により、水素ラジカル照射温度170℃以上では20 秒程度の照射でインジウム表面酸化膜を除去することが可能であり、250℃以上の高温が必要となる水素分子によるリフローと比べて、表面酸化膜除去プロセスの低温化が可能となる。また、印刷したインジウムはんだペーストを水素ラジカル処理することにより、フラックス残渣の洗浄が不要なバンプ形成が可能である。
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| 自由記述の分野 |
実装工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
近年、高感度・高応答速度である冷却型赤外線センサの開発が進められており、その実装には低温環境でも優れた延性・展性を有するインジウムが用いられ、接合時には酸化膜を除去するフラックスが用いられている。フラックス残渣は腐食性を有するため、フラックス残渣洗浄工程の必要のない酸化膜除去技術が求められている。本研究で、環境にやさしいドライプロセスによる還元効果や再酸化過程を明らかにしたことは、将来の微細バンプ開発などのフラックス残渣洗浄の困難な応用に有益な学術的知見を提供するものと考えられる。新しいデバイス創出のための生産基盤技術として社会や産業界に寄与するものと期待される。
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