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2016 年度 実施状況報告書

半導体ドット中の単一スピンの制御と応用

研究課題

研究課題/領域番号 16K13612
研究機関筑波大学

研究代表者

黒田 眞司  筑波大学, 数理物質系, 教授 (40221949)

研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2018-03-31
キーワードスピントロニクス / 量子ドット / 顕微分光 / 単一スピン
研究実績の概要

本研究は、半導体ドット中に遷移元素の原子1個を含む試料を作製し、ドット中の単一磁性スピンの振舞いを光学的手法により詳細に調べ、その振舞いを制御する手法を開発することにより、単一スピンを用いたメモリー実現への応用可能性を探索することを目標としている。今年度は、格子定数の異なるZnTe上に成長したCdTe自己形成ドットでドットあたりCr原子1個を含む試料を作製し、顕微フォトルミネッセンス測定により1個のドットからの発光を観測し、これによりドット中のCr単一スピンの振舞いを調べた。その結果、ドット中の励起子とCrスピンとの交換相互作用により数本の発光線に分裂した発光スペクトルを観測し、その偏光依存性および磁場依存性を詳細に調べた。解析の結果、CdTeドットの自己形成に伴う格子歪がCrスピンのエネルギー準位に大きく影響していることを明らかにした。また、Hanbury Brown and Twiss (HBT) 干渉計型配置による自己相関測定および相互相関測定を行い、単一Crスピンの時間的揺らぎを評価した。自己相関スペクトルにおいてバンチングの現象を観察し、その線幅よりCrスピンの揺らぎの時間が20ns程度であると見積もられた。さらにポンプ・プローブ法による発光の時間分解測定によりCrスピンのダイナミクスの研究を行った。Crスピンの各準位間の緩和過程による発光強度の時間変化を観測し、Crスピンの暗状態での緩和時間が2μs程度と長いことを見出した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

Cr原子1個を含むCdTeドットからの発光スペクトルをその時間変化も含めて詳細に調べ、Crスピンの時間揺らぎや緩和過程などを明らかすることができたため。

今後の研究の推進方策

ドット中のCr単一スピンに対する外部電界の印加の影響を調べるため、ドット試料にゲート電極を装着し、ドット層に外部電界を印加できる試料構造を作製し、電界を印加した状態でドットの発光スペクトルを測定する。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2017 2016 その他

すべて 国際共同研究 (1件) 雑誌論文 (3件) (うち国際共著 3件、 査読あり 3件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (5件) (うち国際学会 4件)

  • [国際共同研究] CNRS, Institut Neel(France)

    • 国名
      フランス
    • 外国機関名
      CNRS, Institut Neel
  • [雑誌論文] Resonant optical control of the spin of a single Cr atom in a quantum dot2017

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Utsumi, H. Boukari, S. Kuroda, L. Besombes
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 95 ページ: 035303

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.95.035303

    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Individual Cr atom in a semiconductor quantum dot: Optical addressability and spin-strain coupling2016

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Utsumi, H. Boukari, S. Kuroda, L. Besombes
    • 雑誌名

      Physical Review B (Rapid Communications)

      巻: 93 ページ: 161301 (R)

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.93.161301

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Spin dynamics of an individual Cr atom in a semiconductor quantum dot under optical excitation2016

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Utsumi, H. Boukari, S. Kuroda, L. Besombes
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 109 ページ: 053103

    • DOI

      10.1063/1.4959243

    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Cr原子1個を含むCdTe量子ドットの作製と単一Crスピンの光学的制御2016

    • 著者名/発表者名
      内海駿人, 須永雅弘, Alban Lafuente-Sampietro, Lucien Besombes, Herve, 黒田眞司
    • 学会等名
      第21回半導体におけるスピン工学の基礎と応用
    • 発表場所
      北海道大学(北海道札幌市)
    • 年月日
      2016-12-12 – 2016-12-13
  • [学会発表] Fabrication of CdTe dots containing a single Cr with and without strain2016

    • 著者名/発表者名
      H. Utsumi, K. Sakamoto, S. Kuroda, A. Lafuente-Sampietro, H. Boukari, L. Besombes
    • 学会等名
      9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids (PASPS-9)
    • 発表場所
      神戸国際会議場(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-08-08 – 2016-08-11
    • 国際学会
  • [学会発表] Optical probing and dynamics of a Cr spin in a semiconductor quantum dot2016

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Utsumi, H. Boukari, S. Kuroda, L. Besombes
    • 学会等名
      9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids (PASPS-9)
    • 発表場所
      神戸国際会議場(兵庫県神戸市)
    • 年月日
      2016-08-08 – 2016-08-11
    • 国際学会
  • [学会発表] Individual Cr atom in a semiconductor quantum dot -optical addressability and spin-strain coupling2016

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Boukari, L. Besombes, H. Utsumi, S. Kuroda
    • 学会等名
      33rd International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2016)
    • 発表場所
      Bejing, China
    • 年月日
      2016-07-31 – 2016-08-05
    • 国際学会
  • [学会発表] Magnetic properties of an individual Cr atom in a semiconductor quantum dot2016

    • 著者名/発表者名
      A. Lafuente-Sampietro, H. Boukari, L. Besombes, H. Utsumi, S. Kuroda
    • 学会等名
      9th International Conference on Quantum Dots (QD2016)
    • 発表場所
      Jeju, Korea
    • 年月日
      2016-05-22 – 2016-05-27
    • 国際学会

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公開日: 2018-01-16  

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