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ビスマス系高温超伝導体（Bi-HTS）薄膜は超伝導転移温度直下で特異な高周波応答を示す。本研究では，77K動作テラヘルツ波ボロメーターへの応用を目的に，応答メカニズムの解明と，デバイスに必要な膜厚数ナノメートルの高品質Bi-HTS薄膜を作製に取り組んだ。有機金属分解法によるBi-HTSのエピタキシャル成長に使用する誘電体基板としてテラヘルツ波の透過性に優れ，損失の少ないネオジムガレート（NGO）を選定した。NGOの構成元素であるGaがBi-HTS薄膜に拡散し超伝導性が失われてしまう問題をバッファー層の導入によって解決し，75Kで超伝導転移する膜厚10nmのBi-HTS薄膜の作製に成功した。
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