2017 年度研究成果報告書

7 eVのバンドギャップを持つ半導体の作製

研究課題

研究課題/領域番号	16K13673
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	結晶工学
研究機関	佐賀大学
研究代表者	大島孝仁佐賀大学, 理工学部, 准教授 (60583151)
連携研究者	井村将隆物質材料研究機構, 主任研究員 (80465971) 高橋和敏佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 准教授 (30332183)
研究協力者	加藤勇次佐賀大学, 理工学部
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2018-03-31
キーワード	酸化ガリウム / 混晶 / 超格子
研究成果の概要	準安定相酸化ガリウム混晶エレクトロニクスの発展に繋がる以下の成果を得た．（1）γ型酸化アルミニウムガリウム単結晶混晶薄膜の作製にスピネル基板を用いて成功した．薄膜は，全率固溶可能であり，バンドギャップは5.0から7.0 eVまで制御可能であった．（2）α型酸化ガリウムと酸化アルミニウムの超格子を初めて作製し，デバイス応用上好ましいコヒーレント界面であることを確認した．γ型についても同様の超格子が作製できることを示した．
自由記述の分野	結晶工学