研究課題
挑戦的萌芽研究
本研究では、2次元炭化アルミニウムの成長に挑戦した。理論計算の結果、2次元炭化アルミニウム（AlCene、アルセン）は、約2.18eVの間接ギャップを持つ半導体であることがわかった。また実験の結果、パルスレーザー堆積法によってSiC(000-1)基板上に、結晶性の高い極薄の炭化アルミニウム膜をエピタキシャル成長できることがわかった。その界面の高分解能透過型電子顕微鏡観察の結果、SiC最表面の炭素原子と、炭化アルミニウムにおけるAl2C層のアルミニウムが結合していることも明らかとなった。
固体物理
