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従来のスピントロニクス素子では主に強磁性体が使われていた。しかしながら、反強磁性体を用いることができれば、漏れ磁場の影響が少なくより低消費電力の素子が構成可能である。本研究では、パイロクロア型結晶構造を持つIr酸化物のall-in-all-outと呼ばれる反強磁性スピン構造を用いて磁気ドメインを制御し、ドメイン壁に現れると予測されている伝導層の制御を行った。結果として、パイロクロア型Ir酸化物のヘテロ構造の各層の磁気ドメインの独立制御に成功した。さらに、人工的に形成された磁壁では電気伝導が起こることを示した。本研究成果では、反強磁性ドメイン制御を実証することができた。
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