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本研究では、広禁制帯幅を持つ化合物半導体を用いて、高感度紫外光検出素子の開発を行った。研究では、いくつかの材料でフォトダイオードを作製し、その特性を評価しながら、基板仕様や素子作製条件の最適化を図り、それにより紫外光に対する高感度化を目指した。その結果、SiC半導体によるアバランシェ型高感度フォトダイオードの開発に成功した。それとともに、さらなる感度向上のための具体的な方策も得た。本研究で開発された素子は、紫外光検出が必須である素粒子物理学分野、天文学、環境科学分野の実用測定器への応用が期待できる。
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