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ナノ薄膜の変形・破壊が生じる局所力学場の実測を目的として，高分解能電子後方散乱回折（HR-EBSD）によるひずみ測定法を含む各種評価手法を比較・検討した。まず，その場電界放射型走査電子顕微鏡観察/EBSD解析が可能な引張試験装置を開発した。これを用いて，銅ナノ薄膜切欠き材のひずみ場を透過型を含むEBSDひずみ解析法で求めた。併せて，電子線誘起堆積法により多数の標点を規則的に配置し，その標点変位より解析する手法を検討した。これらを比較・検討した結果，EBSD法による手法では，ひずみ場を定性的に評価できたのに対して，標点を用いる手法では，定量的に評価できることを示唆する結果を得た。
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