半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 16K14221
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 本久 順一 北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
• 研究分担者: 冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (60519411)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 半導体ナノワイヤ / 光検出器 / フォトダイオード / 有機金属気相成長 / 選択成長

研究成果の概要

半導体ナノワイヤを用いて新型の光検出器を開発した。シリコン基板上に有機金属気相選択成長法を用いてpin接合を有するInGaAsナノワイヤを成長し、上下に電極を形成することによってダイオードを作製した。作製した素子の光応答を評価した結果、本構造がシリコン基板上に光通信波長帯域の光で応答する光検出器(フォトダイオード)として動作していることを明らかにした。さらに、コンタクト抵抗の改善やコアシェル構造の導入により素子特性が向上することを確認した。

自由記述の分野

半導体結晶成長・物性・デバイス工学