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エレクトロニクス応用に向けた、絶縁基板上へのグラファイト成膜技術の開発および、グラファイトへのアルカリ金属の層間挿入による黒鉛層間化合物の形成について研究を行った。その結果、高周波プラズマの援用により高結晶性のグラファイトを絶縁基板上に600度の低温で成膜レート66nm/hの比較的高い速度で合成可能となった。また、絶縁基板上に成膜したグラファイトのデバイス応用として、グラファイト電極を用いた平面型電子放出デバイスの開発を行い、従来型の平面型電子放出デバイスと比較して、電子放出効率と放出電流密度を1万倍向上することに成功した。
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