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MOSデバイスでは，半導体のバンドギャップに対応するエネルギー範囲での欠陥準位の低減が不可欠である。SiCを含むワイドギャップ半導体では，界面近傍の酸化膜中に存在する準位やバンドギャップ中央付近の深い準位に捕獲された電荷の放出の時定数が極めて長く，従来のMOSキャパシタを用いた評価手法では見過ごされている。本研究では，単色化された紫外光や可視光の照射によって一旦電荷を放出させた欠陥準位に，印加電圧の掃引と共に捕獲されていく過程を解析してMOS界面に形成される応答の遅い欠陥準位の分布を推定する手法を提案する。また，同分布についてSiC界面を形成する酸化プロセスによって生じる違いを明確化した。
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