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本研究では，へき開・再利用可能な基板上での半導体の結晶成長およびデバイス応用に向け，ScMgAlO4基板上の窒化物半導体を検討した．GaNやInGaN量子井戸発光層の作製条件を確立し，近紫外～緑の発光ダイオード（LED）を試作したところ，従来のサファイア基板上LEDよりも強く発光した．また，ScMgAlO4基板に格子整合するIn組成17%のInGaNをベースとした量子井戸を作製し，黄緑～赤で発光を得ることに成功した．サファイア基板上量子井戸と比較すると，例えば赤色で発光強度は約40倍に増大した．提案する構造が，可視発光素子の基本構造として高いポテンシャルを持つことが明らかになった．
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