研究課題
挑戦的萌芽研究
シリコン・トランジスタの微細化により集積回路の高速化・多機能化が実現されてきたが、微細化に伴うトランジスタのオフ時のリーク電流の増加が、集積回路の高性能化を阻む課題となっている。トランジスタのオフ時のリーク電流の削減のため、量子力学的なトンネル効果を用いて、ドレイン電流をオン/オフする新しいデバイスの創出が求められている。本研究では、トンネル型トランジスタの基盤技術の開発を目指し、絶縁膜上における直接遷移型半導体GeSnの結晶成長とドーピングプロセスを開発した。
工学
