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原子層状半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いた二次元チャネル電界効果型トランジスタ(2D-MISFET)について、超高真空RFマグネトロンスパッタ法による二硫化モリブデン(MoS2)膜は、金属Dot側壁において基板表面法線方向3次元Fin形状が断面TEMで観察されたが、制御性に欠ける。一方、下地基板表面粗さによる結晶性の乱れをトリガーにしたMoS2 Fin形状を確認した。またRaman分光法によりその内部応用力は小さく、結晶性が高いことを確認した。以上、三次元MoS2膜を実現するには、パターニング部からの核発生よりも、TMDC膜の粒界制御の方が有効であることを見出した。
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