| 研究課題/領域番号 |
16K14258
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
浅野 種正 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (50126306)
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| 連携研究者 |
池田 晃裕 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 助教 (60315124)
黎 暁紅 北九州市立大学, 国際環境工学部, 教授 (30326459)
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| 研究協力者 |
高尾 隆之 九州大学, 大学院システム情報科学研究院, 技術職員
黎 力 九州大学, 大学院システム情報科学府
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| 研究期間 (年度) |
2016-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | silicon carbide / 4H SiC / oxidation / catalytic oxidation / functional oxide / atomic oxygen / perovskite oxide |
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| 研究成果の概要 |
炭化シリコン(SiC)半導体の性質を利用した高性能電気スイッチ素子を実現することで、電気自動車等の動力を制御する電子機器の小形・軽量化、エネルギー損失の低減を現状に比べて大幅に改善できると期待されている。SiC電気スイッチ素子の高性能化には、加熱温度を下げて加工する技術の開発が必要である。本研究では、SiC表面に絶縁膜を形成する酸化工程の温度を、機能性酸化物のもつ活性酸素生成効果を利用して酸化工程の低温化の可能性を実験で調査した。その結果、これまではほとんど酸化が進行しなかった800℃での酸化速度を100倍程度加速できることを見出した。また、装置設計に要する基礎データを取得した。
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| 自由記述の分野 |
電子デバイス・電子機器
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