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400nm間隔のエアーギャップを持つ二酸化バナジウム(VO2)ナノトランジスタの作製に成功した。多様な湿度環境でゲート電界によるVO2中へのプロトン濃度制御に成功した。また、拡散方程式を用いてプロトン輸送速度・濃度の時空間拡散解析モデルを構築した。その結果、室温においておよそ100nm2/sec.もの高移動度で、プロトンが伝播することが分かり、従来の活性化エネルギーの1000倍以上もの高移動度でプロトンが移動していることが分かった。これは、VO2から新たに発見したHVO2へ結晶構造変化に起因した伝播であり、従来予想を超える高移動度室温伝導プロトン材料への応用に期待できる成果である。
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