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本研究は、ドーピング非晶質シリコン層を、ノンドープ非晶質シリコン層への事後のドーピングにより形成する「Catドーピング」を用いて作製し、シリコンヘテロ接合太陽電池を作製する技術の確立を目指したものである。非晶質シリコン/結晶シリコン界面でのキャリア再結合が悪化しないドーピング条件の明確化と、シリコンヘテロ接合太陽電池の動作確認および高開放電圧化を目標とした。その結果、主にドーピング時の基板温度の調整により、界面特性を悪化させることなくn型およびp型非晶質シリコン層を形成可能であることを見出した。また、Catドーピングで形成したp型非晶質シリコンを用いて作製した太陽電池の動作に成功した。
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