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銀（Ag）スパッタ膜を低膨張材料であるシリカ（SiO2）上に膜厚1μm厚さで形成し、250℃から400℃の間で60分間加熱し、Agヒロック形成状態の評価とSiO2同士の接合を実施。大面積への適用の可能性を明らかにするため、SiO2ブロックは20mm角の接合面とし、Ag膜の下にTi接合間層を形成し接合加圧力は0.4MPa、接合雰囲気は大気とした。接合体から3mm角の棒状の3点曲げ試験片を切り出し、接合強度の切り出し位置の依存性をヒロック形成状況と関連させて評価した。SMB接合法の大面積材料への適用においては十分に高強度な接合が可能であるが、周辺部の未接合領域が数百μmの幅で形成されることがある。
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