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2019 年度 研究成果報告書

静磁場印加マイクロ波ラピッドアニールプロセスによる金属薄膜の粒構造制御

研究課題

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研究課題/領域番号 16K14433
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 材料加工・組織制御工学
研究機関東北大学

研究代表者

吉川 昇  東北大学, 環境科学研究科, 准教授 (70166924)

研究分担者 Komarov Sergey  東北大学, 環境科学研究科, 教授 (20252257)
研究期間 (年度) 2016-04-01 – 2020-03-31
キーワードマイクロ波 / 金属薄膜 / ラピッドアニール / 磁場印加 / 表面平坦性
研究成果の概要

Au薄膜を、スパッター法でマイクロ波吸収が無視できる石英(SiO2)基板に室温で膜厚数10~数100nm析出させた後、5.8GHzシングルモードアプリケータ、現存装置)によりポストアニールを行なった。この際に、現存の電磁石を利用して、磁場印加を行なった。 AFM(原子力間顕微鏡)により得られた薄膜の組織観察や、膜表面の平坦性についてテジタルデータを得て、これをフーリエ解析し、 凹凸の周期(波数)の変化につ いて解析を行なった。外部から静磁場を印加し、マイクロ波加熱処理を行なうことにより、結晶粒成長を抑制する事でき、平坦性が向上する傾向がある事が分 かった。

自由記述の分野

構造機能材料、材料加工

研究成果の学術的意義や社会的意義

本研究は、金属薄膜の有効なマイクロ波吸収特性を利用して、短時間で金属薄膜のポストアニールを行う手法とそのプロセスにおける静磁場印加効果を調べることができた。また、本研究においては、膜平坦性を、膜厚プロファイルの波数スペクトルを取るという手法を用いて、定量的に解析することができた。本研究は、マイクロ波を援用した機能材料プロセッシングの1つとして、新規な方法を提案、実証することができ、プロセスの短時間、省エネルギー化に貢献できると考えられる。

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公開日: 2021-02-19  

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