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次世代半導体チャネル材料として期待される2層グラフェンのギャップ形成には，原子レベルで平坦なh-BNとの複層化が重要である．触媒機能としてCu蒸気を外部から導入し，h-BN上へのグラフェン直接成長を試みた．しかしながら，金属触媒を色々検討したもののグラフェンの成長は困難であった．そこで，グラフェンと異なりバンドギャップを有する2次元結晶であるMoS2のCVD成長を試みた．SiO2/Si基板上に3角形状の単層MoS2の形成に成功した．また，2次元結晶の機械的なヘテロ構造作成手法を検討した．レンズ形状のPDMS/PMMAを用いて，温度を詳細に制御することで複層化が可能であることがわかった．
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