高性能チップスケール原子デバイスを実現するガスセル作製法の新展開

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 16K17502
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: ナノマイクロシステム
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 平井 義和 京都大学, 工学研究科, 助教 (40452271)
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2018-03-31

研究成果

• [産業財産権] 金属ガス封入セル及びその製造方法 (2020)
  • 発明者名: 平井義和・清瀬俊
  • 権利者名: 京都大学
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2020-185571