研究成果発表報告書

コーン磁化薄膜を利用した高速・低消費電力MRAM素子の理論研究

研究課題

研究課題/領域番号	16K17509
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	応用物性
研究機関	国立研究開発法人産業技術総合研究所
研究代表者	松本利映国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10635303)
研究協力者	今村裕志荒井礼子
研究期間 (年度)	2016-04-01 – 2019-03-31