(1)AlGaN系量子井戸構造を想定し、フォノン局在性をパラメーターとして、光学フォノンと音響フォノンを比較した結果、光学フォノンのほうがキャリア取り出し率に最も影響することが判明した。 (2)高密度SiドープGaN薄膜において空間的な電子濃度分布 赤外反射スペクトルに基づき、フィッティング解析を行った結果、ホール測定で見積った電子濃度3E20 cm-3の試料(膜厚1μm)が深さ方向の電子濃度分布の変化がみられた。ラマン分光のスペクトルより、ドーピングによる結晶性劣化やSiのN位置の占有によるアクセプタ準位の形成や格子間位置へのドーピングによる表面方向への電子濃度低減が考えられる。
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