研究課題
若手研究(B)
GaAs中に数%程度のN原子を含む希薄窒化物半導体は、GaAsNは、多接合太陽電池の材料として期待されているが、N原子導入による電気特性悪化が問題となる。この原因として、膜中のN原子の空間分布の偏りが指摘されているが、直接観察することは困難であった。本研究では、原子１層ごとの原子分布が可能な原子層エピタキシー法を用い、N原子分布を意図的に制御したGaAsN薄膜の作製に成功した。また、作製した試料の電気特性評価から、N原子の分布が、電気特性に影響を与える事を直接観察した。
結晶工学
本研究では、希薄窒化物半導体中のN原子分布を意図的に制御した薄膜の作製に成功し、N原子分布が電気特性に影響を与えることを直接観察した。この結果は、本材料系の高品質化に重要な知見であるとともに、希薄窒化物半導体の物性を明らかにする上での学術的意義が大きい。本材料系は、太陽電池以外にもレーザーあるいは光電子集積回路への応用も期待されたおり、新規デバイス作成へにつながる成果である。
