次世代パワー半導体材料酸化ガリウムの結晶欠陥検出法の開発

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 16K17516
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 一般財団法人ファインセラミックスセンター
• 研究代表者: 姚 永昭 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (80523935)
• 研究協力者: 石川 由加里 ファインセラミックスセンター, 材料技術研究所, 主席研究員 ; 菅原 義弘 ファインセラミックスセンター, ナノ構造研究所, 上級研究員 ; 高橋 由美子 高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 研究員 ; 平野 馨一 高エネルギー加速器研究機構, 物質構造科学研究所, 准教授
• 研究期間 (年度): 2016-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: gallium oxide / dislocation / X-ray topography / etch pit / TEM

研究成果の概要

高電圧且つ大電流のパワーデバイスにおいては、転位の存在がデバイス性能の低下や短寿命化の要因となる。新規パワー半導体材料Ga2O3の転位を低減するために必要な転位検出・分類技術を確立することを目的とした。
本研究は、Ga2O3単結晶の結晶性を多面的に評価した上で、種々の転位を短時間で簡易且つ正確に検出・分類できる化学的エッチング手法を確立した。更に、X線回折技術や電子顕微鏡観察により、上記エッチング転位検出法の正しさを証明した。

自由記述の分野

材料工学　半導体材料欠陥評価