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走査トンネル顕微鏡と原子間力顕微鏡の複合装置を基盤として、探針から試料表面に注入した局所電荷（電子・正孔）の緩和ダイナミクスを計測する手法（時間分解走査プローブ顕微鏡）を開発した。本装置の原理を半導体表面上で検証した結果、過渡的な局所電荷の発生に伴う静電気力の変調を周波数シフト量として検出することに成功した。一方、金属表面上での検証結果から、検出された静電気力の変調は、試料表面から探針へ注入された過渡的電荷に由来する（つまり、本装置は、探針に注入された局所電荷の緩和を計測している）ことが明らかとなった。
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